Sputter NanoPVD-S10A-WA

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DESCRIZIONE

Sputter NanoPVD-S10A-WA

Il nanoPVD-S10A-WA è una configurazione Wide-Area che estende le capacità del nanoPVD-S10A per consentire il rivestimento uniforme di diametri del substrato fino a 8″, in un pacchetto da banco. Lo sputtering di magnetron RF e DC consente la deposizione sia di metalli che di materiali isolanti.  

Tecniche 

Deposizione fisica da vapore 

Pur mantenendo lo stesso design della camera, la versione Wide-Area del nanoPVD-S10A contiene sorgenti di magnetron sputtering orientate direttamente verso l’alto verso i piani del substrato. Questa disposizione in combinazione con la rotazione del substrato e le lastre di esposizione con orifizi appositamente progettati consente il rivestimento di substrati fino a 8″ di diametro per applicazioni in cui le specifiche di uniformità strette non sono critiche. 

Come il nanoPVD-S10A, i magnetron sono raffreddati ad acqua per un funzionamento prolungato ad alta potenza e accettano obiettivi standard del settore. Inoltre, le unità nanoPVD-S10A-WA sono dotate di tutte le caratteristiche interessanti della gamma nanoPVD, compresi i sistemi di pompaggio turbomolecolari, il funzionamento automatizzato basato su ricette tramite HMI touchscreen e design compatti per l’installazione su banco. 

Caratteristiche principali 

  • Configurazione specifica per l’applicazione per nanoPVD-S10A 
  • Rivestimento uniforme per substrati fino a 8” di diametro 
  • Sorgenti di magnetron sputtering raffreddate ad acqua per target da 2″ standard del settore 
  • Gas di processo controllati da MFC 
  • Alimentatori DC e/o RF 
  • Funzionamento completamente automatico tramite HMI touchscreen 
  • Definisci/salva più ricette di processo 
  • Pressioni di base <5 × 10-7 mbar 
  • Attrezzato per una facile manutenzione 
  • Funzioni di sicurezza complete 
  • Compatibile con camere bianche 
  • Prestazioni comprovate 

Opzioni 

  • Pompa per prevuoto a secco  
  • Sfiato rapido della camera 
  • Controllo automatico della pressione ad alta risoluzione 
  • Gas di processo aggiuntivi 
  • Fino a 2 sorgenti di magnetron sputtering 
  • Alimentatori RF e/o DC 
  • Tecnologia di commutazione alimentazione/sorgente SputterSwitch 
  • Testa del sensore in cristallo di quarzo